Kuvaus
Yleistä | |
Laitteen tyyppi: | Puolijohdeasema – sisäinen |
Muistin koko: | 2 Tt |
Laitteistosalaus: | Kyllä |
Salausalgoritmi: | AES 256 bittiä |
NAND flash-muistityyppi: | Multi-level cell (MLC) |
Koko tai muoto: | 2.5″ |
Liitäntä: | SATA 6Gb/s |
Puskurin koko: | 2 Gt |
Ominaisuudet: | TRIM-tuki, Garbage Collection -teknologia, unitila, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bittiä, IEEE 1667 |
Leveys: | 69.85 mm |
Syvyys: | 100 mm |
Korkeus: | 6.8 mm |
Paino: | 57 g |
Suorituskyky | |
Puolijohdeaseman kestokyky: | 720 TB |
Sisäinen tiedonsiirtonopeus: | 560 MBps (luku) / 530 MBps (kirjoitus) |
4KB Random Read: | 11000 IOPS |
4KB Random Write: | 35000 IOPS |
Maximum 4KB Random Write: | 88000 IOPS |
4KB enimmäissatunnaistoisto: | 98000 IOPS |
Luotettavuus | |
Keskimääräinen vikaväli (MTBF): | 1,500,000 tuntia |
Laajennus & Liitäntä | |
Liitännät: | 1 x SATA 6 Gb/s – 7 pin Serial ATA |
Yhteensopiva paikka: | 2.5″ |
Virransyöttö | |
Virrankulutus: | 3.3 watt (keskimäärä) 5.5 watt (maksimi) 0.045 watt (joutokäynnillä) |
Valmistajan takuu | |
Huolto ja tuki: | Rajoitettu takuu – 3 vuotta |
Ympäristötiedot | |
Vähimmäiskäyttölämpötila: | 0 °C |
Enimmäiskäyttölämpötila: | 70 °C |
Iskunkestävyys (käytettäessä): | 0,5 ms puolisini |
Iskunkestävyys (suljettuna): | 1500 g @ 0,5 ms |
Arviot
Tuotearvioita ei vielä ole.